Mit seiner geringen Größe und Höhe (9,9 x 11,7 x 2,3 mm) eignet sich das TO-LL-Gehäuse ideal als Ersatz für leistungsbegrenzte D2PAK/D2PAK-7 Mosfet-Lösungen oder zur Reduzierung von Parallelschaltungen in diskreten Designs. Mit verminderter Schaltungskomplexität verbessert sich zusätzlich die Gesamtzuverlässigkeit der Applikation. Weitere Designvorteile eines kompakteren Hochstromschaltkreises liegen in der Verminderung von parasitären Effekten und verbessertem EMV-Verhalten, insbesondere bei Anwendungen, die in höheren Frequenzbereichen arbeiten.
Für eine optimierte Gate-Ansteuerung verfügt das Gehäuse über einen separaten Signal-Pin zur Reduzierung induktiver Effekte bei mittleren oder höheren Schaltfrequenzen, um sicheres Schalten und eine gute Schaltleistung zu gewährleisten.
Die UTC TO-LL-8B Serie startet mit zwei Mosfets im Spannungsbereich 600V/130mOhm und 400V/180mOhm. Beide Transistoren sind avalanchefest, schnell schaltend und haben einen niedrigen FOM (Figure of Merit) für hohe dynamische Effizienz.
Aufgrund des breiten Portfolios an Nieder- und Hochspannungs-Mosfet-Chips und der hohen Flexibilität von UTC als Design- und Fertigungsunternehmen, werden in Kürze weitere Bauteile in verschiedenen Leistungsklassen folgen. Insbesondere Trench-Mosfet im Spannungsbereich bis 80V mit hoher Strombelastbarkeit und niedrigem RDS(ON) werden in Kürze veröffentlicht und können als 1:1 Ersatz für bestehende Lösungen etablierter Hersteller dienen. Abhängig von den Kundenanforderungen ist UTC ebenfalls offen für kundenspezifische Lösungen.
Für weitere Informationen über UTCs TO-LL Package-Lösungen wenden Sie sich bitte an Ihr lokales TRS-STAR-Büro.
UTC Ltd, Vertriebspartner der TRS-STAR GmbH aus Stutensee, stellt seine neue TO-LL (TO-Leadless, HSOF-8) Mosfet-/IGBT Gehäuselösung für leistungsstarke Designs vor. Das Package ist ideal für sehr kompakte Anwendungen mit hoher Stromtragfähigkeit geeignet.
Mit seiner geringen Größe und Höhe (9,9 x 11,7 x 2,3 mm) eignet sich das TO-LL-Gehäuse ideal als Ersatz für leistungsbegrenzte D2PAK/D2PAK-7 Mosfet-Lösungen oder zur Reduzierung von Parallelschaltungen in diskreten Designs. Mit verminderter Schaltungskomplexität verbessert sich zusätzlich die Gesamtzuverlässigkeit der Applikation. Weitere Designvorteile eines kompakteren Hochstromschaltkreises liegen in der Verminderung von parasitären Effekten und verbessertem EMV-Verhalten, insbesondere bei Anwendungen, die in höheren Frequenzbereichen arbeiten.
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