AIXTRON bringt die G10‑SiC 200 mm Produktlösung der nächsten Generation für Siliziumkarbid-Epitaxie auf den Markt

Das neue G10-SiC-System baut auf unserer anerkannten G5 WW C 150 mm-Plattform auf und bietet eine flexible Konfiguration mit zwei Wafergrößen: 9×150 und 6×200 mm. Diese Funktion ist entscheidend für die Entwicklung der SiC-Industrie von derzeit 150 mm (6 Zoll) auf 200 mm (8 Zoll) Waferdurchmesser. Die neue Plattform basiert auf unserer bewährten Lösung zur vollautomatischen Waferbeladung von Kassette zu Kassette (Cassette-to-Cassette) inklusive Hochtemperatur-Wafertransfer. In Kombination mit den Prozessfähigkeiten für hohe Wachstumsraten bietet die G10‑SiC den klassenbesten Wafer-Durchsatz und Durchsatz pro Quadratmeter zur effizienten Nutzung begrenzter Reinraumflächen in Halbleiterfabriken.

Die AIXTRON G10-SiC-Anlage unterstützt eine Vielzahl von Bauelementestrukturen, einschließlich Einzel- und Doppeldriftschichtstrukturen, die die strengen 150-mm-Gleichförmigkeitsanforderungen von Sigma-Werten von weniger als 2% für Dotierung und Dicke erfüllen. Durch die automatische Beladung der Wafer wird das Risiko von Partikelfehlern auf ein Minimum reduziert, was zu einer typischen Fehlerzahl von < 0,02/cm² führt.

"Dies ist ein Hochleistungssystem der wirklich allerneuesten Generation. Die neue Konfiguration mit zwei Wafergrößen unterstützt den Übergang von der heutigen 150 mm-Wafertechnologie und sichert die Investitionen unserer Kunden für die Zukunft. Mit dem höchsten Durchsatz in diesem Format maximiert die Anlage die Produktivität und die Fähigkeit, die Produktionsleistung noch schneller zu steigern", sagt Dr. Frank Wischmeyer, Vice President SiC bei AIXTRON. Gleichzeitig optimiert die neu entwickelte in-situ Temperaturregelung an der Waferoberseite (TTC) die Prozesskontrolle auf Waferebene sowohl innerhalb einer Charge als auch von Charge zu Charge. Dies führt zu einer vorhersagbaren hohen Ausbeute unter Einhaltung engster Produktionsspezifikationen zu wettbewerbsfähigen Kosten", fügt Dr. Wischmeyer hinzu.

Die Gleichmäßigkeit der Epitaxieschichten ist entscheidend für eine hohe Ausbeute an Bauelementen. Der hohe Durchsatz des Systems gepaart mit niedrigen Verbrauchskosten pro prozessiertem Wafer führt zu den niedrigsten Kosten pro Wafer in der Branche.

"Wir sind stolz darauf, unseren Partnern rund um den Globus eine weitere Lösung anbieten zu können, die industriellen Top-Standard mit immensen Klimaeffekten verbindet. Das positive Feedback unserer Partner und Kunden nach der Evaluierung und Produktionsqualifizierung unserer neuen G10-SiC-Anlage hat bereits zu weiterem Kundeninteresse geführt", sagt Dr. Felix Grawert, Vorstandsvorsitzender der AIXTRON SE.

"Die G10-SiC entwickelt sich zu einem wichtigen Baustein für die weltweite Produktionsausweitung unserer Kunden, und wir sind entschlossen, diese Skalierung mit unserer modernen Systemfertigung sowie unserem hervorragenden Service und Prozessunterstützung zu fördern.", sagt Dr. Grawert abschließend.

Zukunftsgerichtete Aussagen

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