SiC-FET-Technologie für ein schnelleres und effizienteres Laden

Ein weiterer Vorteil: die Umkehr-Erholungsladung (Qrr) der Bodydiode ist praktisch temperaturunabhängig. Im Zusammenhang mit einem positiven RDSon-Temperaturkoeffizienten ist dies für Parallelschaltungen vorteilhaft, weil die asynchrone Ladung an den Schaltern minimiert wird. Durch die geringe Ableitung und eine Schwellenspannung (Vth) von weniger als 3 V ist der Betrieb bei einer Temperatur Tj > 200°C (SiC TJMax = 175°C) möglich, ohne dass ein Risiko bezüglich des thermischen Durchgehens besteht. Für Inverter im Bereich E-Mobilität sind die sehr niedrigen und praktisch temperaturunabhängigen Schaltenergien (Eon & Eoff) der UF3SC-Serie ideal – ein Vorteil, der durch die ausgezeichneten Erholungsstatistiken der Bodydiode zusätzlich gestützt wird.

Die SiC-FET-Schutzschalter basieren auf einer Kaskodenschaltung eines SiC-JFET und eines SiC-MOSFET. Weil Sie sich zusammen mit Standard-Gatetreibern einsetzen lassen, eignen sie sich als echte Drop-in-Komponenten für Si-IGBT, Si-FET und SiCMOSFET. Durch den neuen, internationalen ISO-Standard für Ladeinfrastruktur (ISO 15118-20) werden SiC-FET mit 1200 V darüber hinaus immer wichtiger, um die Zweirichtungsfunktion von Ladeeinheiten und damit die Wirkleistung P und die Blindleistung Q zu steuern.

Zusätzlich zu den neuen SiC-FET-Schutzschaltern bietet Angst+Pfister Sensors and Power ein umfassendes Sortiment an modernsten Komponenten für Leistungselektronik an. Die neue BeFAST-Evaluationsplatine bietet zudem ein gebrauchsfertiges Entwicklungs-Tool für die Bestimmung aller relevanten Schaltkreiseigenschaften in Interaktion mit anderen essenziellen Komponenten wie DC-DC-Wandlern, Isolatoren, Thermistoren etc.

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