Miniaturisierung der Stromversorgung: AIXTRON liefert MOCVD-Schlüsseltechnologie an NexGen Power Systems

In Bezug auf Ausbeute und Betriebskosten stellt die AIX G5 HT den aktuellen Standard für alle fortgeschrittenen GaN-Anwendungen dar. Als einzige MOCVD-Anlage auf dem Markt verfügt die AIX G5 HT über ein integriertes Wafer Level-Kontrollsystem. Damit ist sie die effizienteste Anlage für die Epitaxie von GaN-on-GaN, GaN-on-Si2 und GaN-on-SiC3 für Leistungselektronikund RF-Anwendungen. Die voll automatisierte Anlage bietet In-situ-Reinigung für beste Prozesssicherheit und Fehlerkontrolle und ist zudem mit dem neuesten Laytec InSide P400 UVPyrometer zur berührungslosen Temperaturmessung ausgestattet. In Verbindung mit AIXTRONs individuellem On-Wafer-Temperaturkontrollsystem Auto Feed-Forward (AFF) ermöglicht dies eine Anpassung aller Epitaxiewafer – sowohl innerhalb eines Produktionsdurchlaufs als auch bei aufeinanderfolgenden Produktionsdurchläufen („Run-to- Run“).

Dinesh Ramanathan, CEO von NexGen Power Systems, sagt: "Unsere disruptive True GaN™ VJFET4-Technologie ist in der Lage, die Silizium-, Siliziumkarbid- oder GaN-on-Silicon- Technologie durch höhere Durchbruchspannung, geringeren On-Widerstand und höhere Schaltfrequenz in ihrer Leistung zu übertreffen. Die True GaN™ Leistungsbauelemente von NexGen ermöglichen das Design von kompakten Leistungswandlern und erhöhen gleichzeitig deren Effizienz bei Anwendungen in der Stromversorgung von Rechenzentren, in Motorantrieben, Solarwechselrichtern und der Antriebstechnik für Elektrofahrzeuge. AIXTRONs Planetentechnologie in Kombination mit seinem Batch-Reaktor-Konzept wird uns sowohl die notwendige Qualitätskontrolle als auch die Kosteneffizienz bieten, um eine schnelle Einführung unserer bahnbrechenden Leistungsbauelemente zu gewährleisten".

"Wir freuen uns darauf, die Anstrengungen von NexGen zu unterstützen, bestehende Leistungswandlerzu revolutionieren. In den letzten Jahren haben sich unsere Planetenanlagen vom Typ AIX G5 HT einen guten Ruf als präzise, zuverlässige und kosteneffiziente Produktionsanlagen in der Halbleiterindustrie erworben und ermöglichen eine schnellere Einführung von GaN-Bauelementen in den von Silizium bestimmten Markt der Leistungsbauelemente.", sagt Dr. Felix Grawert, Vorstand der AIXTRON SE.

¹GaN = Galliumnitrid, 2Si = Silizium, 3SiC = Siliziumkarbid, 4VJFET = Vertical Junction Field Effect Transistor

Über NexGen

NexGen Power Systems wurde 2017 gegründet und hat seinen Hauptsitz in DeWitt, New York, USA. Das Unternehmen konzentriert sich auf die Entwicklung und Herstellung von Technologielösungen unter Verwendung von diskreten GaN-on-GaNHalbleiterbauelementen, Modulen und Systemen, die die Effizienz und Zuverlässigkeit von Leistungswandlern erhöhen und gleichzeitig deren Kosten, Größe und Gewicht erheblich reduzieren. Leistungswandler spielen eine Schlüsselrolle in fast allen elektronischen Geräten, von Haushaltsgeräten bis hin zu Rechenzentren, Laptops und Elektroautos.

Weitere Informationen unter: www.nexgenpowersystems.com.

Zukunftsgerichtete Aussagen

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